STMicroelectronics - STQ1HN60K3-AP

KEY Part #: K6402081

STQ1HN60K3-AP 価格設定(USD) [264609個在庫]

  • 1 pcs$0.13978
  • 2,000 pcs$0.12490

品番:
STQ1HN60K3-AP
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STQ1HN60K3-AP electronic components. STQ1HN60K3-AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STQ1HN60K3-AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ1HN60K3-AP 製品の属性

品番 : STQ1HN60K3-AP
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
シリーズ : SuperMESH3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 400mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 140pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.