SE20AFB-M3/6B 価格設定（USD） [1006146個在庫]
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- 品番:
- SE20AFB-M3/6B
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20AFB-M3/6B electronic components. SE20AFB-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20AFB-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE20AFB-M3/6B 製品の属性
品番 :
SE20AFB-M3/6B
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1.3A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 2A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
12pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-221AC (SlimSMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
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