GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

詳細な説明:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR electronic components. MBR20035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MBR20035CTR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode

ダイオードタイプ : Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 35V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 650mV @ 100A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V

動作温度-ジャンクション : -

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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