Infineon Technologies - IRG5U100HF12B

KEY Part #: K6533557

[793個在庫]


    品番:
    IRG5U100HF12B
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRG5U100HF12B electronic components. IRG5U100HF12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG5U100HF12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG5U100HF12B 製品の属性

    品番 : IRG5U100HF12B
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : -
    構成 : Half Bridge
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 180A
    パワー-最大 : 780W
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.5V @ 15V, 100A
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 2mA
    入力容量(Cies)@ Vce : 12nF @ 25V
    入力 : Standard
    NTCサーミスタ : No
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : POWIR® 62 Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : POWIR® 62

    あなたも興味があるかもしれません
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.