Infineon Technologies - IPP120P04P404AKSA1

KEY Part #: K6401835

IPP120P04P404AKSA1 価格設定(USD) [2913個在庫]

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品番:
IPP120P04P404AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP120P04P404AKSA1 製品の属性

品番 : IPP120P04P404AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO220-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 340µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 205nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 14790pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3

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