GeneSiC Semiconductor - 1N3671AR

KEY Part #: K6425662

1N3671AR 価格設定(USD) [22785個在庫]

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品番:
1N3671AR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4. Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3671AR electronic components. 1N3671AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3671AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3671AR 製品の属性

品番 : 1N3671AR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 12A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C
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