DMJ70H601SV3 価格設定（USD） [62159個在庫]
- 1 pcs$0.62904
- 品番:
- DMJ70H601SV3
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H601SV3 electronic components. DMJ70H601SV3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H601SV3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMJ70H601SV3 製品の属性
品番 :
DMJ70H601SV3
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
686pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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