Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS387CT,L3F

KEY Part #: K6428275

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品番:
1SS387CT,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 80V 100MA CST2
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS387CT,L3F 製品の属性

品番 : 1SS387CT,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
電流-平均整流(Io) : 100mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 1.6ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 80V
静電容量@ Vr、F : 0.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOD-882
サプライヤーデバイスパッケージ : CST2
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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