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- 品番:
- APTC60DAM35T1G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 72A SP1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G electronic components. APTC60DAM35T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60DAM35T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTC60DAM35T1G 製品の属性
品番 :
APTC60DAM35T1G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
72A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 5.4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
518nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
416W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP1
パッケージ/ケース :
SP1
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