Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41M-E3/96

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GL41M-E3/96 価格設定(USD) [826014個在庫]

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品番:
GL41M-E3/96
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41M-E3/96 製品の属性

品番 : GL41M-E3/96
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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