F4150R12KS4BOSA1 価格設定（USD） [435個在庫]
- 1 pcs$106.65238
- 品番:
- F4150R12KS4BOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies F4150R12KS4BOSA1 electronic components. F4150R12KS4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F4150R12KS4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
F4150R12KS4BOSA1 製品の属性
品番 :
F4150R12KS4BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
180A
パワー-最大 :
960W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.75V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
10nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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