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- 品番:
- MBR60030CTRL
- メーカー:
- GeneSiC Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL electronic components. MBR60030CTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR60030CTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR60030CTRL 製品の属性
品番 :
MBR60030CTRL
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオード構成 :
1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
30V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
300A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
580mV @ 300A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
3mA @ 30V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ :
Twin Tower
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