GeneSiC Semiconductor - GB2X100MPS12-227

KEY Part #: K6469821

GB2X100MPS12-227 価格設定(USD) [629個在庫]

  • 1 pcs$73.79442

品番:
GB2X100MPS12-227
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 200A SOT-227
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB2X100MPS12-227 製品の属性

品番 : GB2X100MPS12-227
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 2 Independent
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 185A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 100A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 80µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227
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