STWA48N60DM2 価格設定（USD） [17140個在庫]
- 1 pcs$2.40446
- 品番:
- STWA48N60DM2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STWA48N60DM2 electronic components. STWA48N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STWA48N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STWA48N60DM2 製品の属性
品番 :
STWA48N60DM2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET
シリーズ :
MDmesh™ DM2
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
79 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3250pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 Long Leads
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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