メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
375pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN1010-3