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ON Semiconductor - FDC5614P_D87Z

KEY Part #: K6407626

[908個在庫]

    品番:
    FDC5614P_D87Z
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDC5614P_D87Z electronic components. FDC5614P_D87Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC5614P_D87Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC5614P_D87Z 製品の属性

    品番 : FDC5614P_D87Z
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 105 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 24nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 759pF @ 30V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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