ON Semiconductor - 1N3064TR

KEY Part #: K6444395

1N3064TR 価格設定(USD) [2465個在庫]

  • 10,000 pcs$0.00548
  • 30,000 pcs$0.00493
  • 50,000 pcs$0.00439
  • 100,000 pcs$0.00411
  • 250,000 pcs$0.00365

品番:
1N3064TR
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor 1N3064TR electronic components. 1N3064TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3064TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3064TR 製品の属性

品番 : 1N3064TR
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 75V
電流-平均整流(Io) : 300mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 10mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • VS-10WQ045FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

  • VS-STPS1045BTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

  • VS-MBRD330PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.

  • VS-HFA08SD60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.

  • VS-HFA08SD60STRRP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.