現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-整流器-シングル
  5. JANTX1N6628US

Microsemi Corporation - JANTX1N6628US

KEY Part #: K6447710

JANTX1N6628US 価格設定（USD） [3548個在庫]

  • 1 pcs$12.20707
  • 100 pcs$11.67562
品番:
JANTX1N6628US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6628US electronic components. JANTX1N6628US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6628US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6628US 製品の属性

品番 : JANTX1N6628US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/590
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 660V
電流-平均整流（Io） : 1.75A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.35V @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 660V
静電容量@ Vr、F : 40pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, E
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
あなたも興味があるかもしれません
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

ホットパーツ