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製品
ディスクリート半導体製品
トランジスタ-JFET
BFR30,215
NXP USA Inc. - BFR30,215
KEY Part #:
K6521805
BFR30,215 価格設定(USD) [4710個在庫]
3,000 pcs
$0.06743
お問い合わせ価格
品番:
BFR30,215
メーカー:
NXP USA Inc.
詳細な説明:
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、
サイリスタ-DIAC、SIDAC
,
ダイオード-ブリッジ整流器
,
トランジスタ-FET、MOSFET-RF
,
トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF
,
サイリスタ-トライアック
,
トランジスタ-IGBT-シングル
,
トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
and
パワードライバーモジュール
を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in NXP USA Inc. BFR30,215 electronic components. BFR30,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BFR30,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
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BFR30,215 製品の属性
品番 :
BFR30,215
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
電圧-内訳(V(BR)GSS) :
-
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
25V
電流-ドレイン(Idss)@ Vds(Vgs = 0) :
4mA @ 10V
電流ドレイン(Id)-最大 :
10mA
電圧-カットオフ(VGSオフ)@ Id :
5V @ 0.5nA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4pF @ 10V
抵抗-RDS(オン) :
-
パワー-最大 :
250mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23 (TO-236AB)
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