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製品
ディスクリート半導体製品
トランジスタ-JFET
2N4117A-E3
Vishay Siliconix - 2N4117A-E3
KEY Part #:
K6521558
[4792個在庫]
お問い合わせ価格
品番:
2N4117A-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、
トランジスタ-IGBT-アレイ
,
トランジスタ-JFET
,
ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)
,
トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション
,
トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス
,
サイリスタ-DIAC、SIDAC
,
トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ
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サイリスタ-SCR-モジュール
を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix 2N4117A-E3 electronic components. 2N4117A-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N4117A-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
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2N4117A-E3 製品の属性
品番 :
2N4117A-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
電圧-内訳(V(BR)GSS) :
40V
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
-
電流-ドレイン(Idss)@ Vds(Vgs = 0) :
30µA @ 10V
電流ドレイン(Id)-最大 :
-
電圧-カットオフ(VGSオフ)@ Id :
600mV @ 1nA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3pF @ 10V
抵抗-RDS(オン) :
-
パワー-最大 :
300mW
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-206AF (TO-72)
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