SBC856BWT1G 価格設定（USD） [1180230個在庫]
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- 品番:
- SBC856BWT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SBC856BWT1G electronic components. SBC856BWT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBC856BWT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBC856BWT1G 製品の属性
品番 :
SBC856BWT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
65V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
650mV @ 5mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
15nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
220 @ 2mA, 5V
パワー-最大 :
150mW
頻度-遷移 :
100MHz
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-3 (SOT323)
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