[9840個在庫]
- 品番:
- 2SA965-Y(F,M)
- 詳細な説明:
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y(F,M) electronic components. 2SA965-Y(F,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA965-Y(F,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SA965-Y(F,M) 製品の属性
品番 :
2SA965-Y(F,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
トランジスタータイプ :
PNP
電流-コレクター（Ic）（最大） :
800mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
120V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
1V @ 50mA, 500mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 100mA, 5V
パワー-最大 :
900mW
頻度-遷移 :
120MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
サプライヤーデバイスパッケージ :
LSTM
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