Infineon Technologies - BAS2103WE6433HTMA1

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品番:
BAS2103WE6433HTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS2103WE6433HTMA1 製品の属性

品番 : BAS2103WE6433HTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 250mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOD323-2
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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