RJH60D5BDPQ-E0#T2 価格設定（USD） [17778個在庫]
- 1 pcs$2.31808
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 75A 200W TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJH60D5BDPQ-E0#T2 electronic components. RJH60D5BDPQ-E0#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJH60D5BDPQ-E0#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJH60D5BDPQ-E0#T2 製品の属性
品番 :
RJH60D5BDPQ-E0#T2
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
IGBT 600V 75A 200W TO-247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
75A
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 37A
パワー-最大 :
200W
スイッチングエネルギー :
400µJ (on), 810µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
78nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
50ns/130ns
試験条件 :
300V, 37A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
25ns
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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