Toshiba Semiconductor and Storage - RN2963FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529748

[2061個在庫]


    品番:
    RN2963FE(TE85L,F)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN2963FE(TE85L,F) 製品の属性

    品番 : RN2963FE(TE85L,F)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    トランジスタータイプ : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 22 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 22 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
    頻度-遷移 : 200MHz
    パワー-最大 : 100mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
    サプライヤーデバイスパッケージ : ES6

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