ON Semiconductor - MUN5211DW1T1

KEY Part #: K6530003

[1976個在庫]


    品番:
    MUN5211DW1T1
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor MUN5211DW1T1 electronic components. MUN5211DW1T1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5211DW1T1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MUN5211DW1T1 製品の属性

    品番 : MUN5211DW1T1
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    トランジスタータイプ : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 10 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 35 @ 5mA, 10V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
    頻度-遷移 : -
    パワー-最大 : 250mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88/SC70-6/SOT-363

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