DMN2011UFX-7 価格設定（USD） [249522個在庫]
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- 品番:
- DMN2011UFX-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2011UFX-7 electronic components. DMN2011UFX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2011UFX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2011UFX-7 製品の属性
品番 :
DMN2011UFX-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.2A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
56nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2248pF @ 10V
パワー-最大 :
2.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
4-VFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN2050-4
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