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ON Semiconductor - FQP8N90C

KEY Part #: K6418472

FQP8N90C 価格設定（USD） [64375個在庫]

  • 1 pcs$0.61042
  • 1,000 pcs$0.60739
品番:
FQP8N90C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQP8N90C electronic components. FQP8N90C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP8N90C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP8N90C 製品の属性

品番 : FQP8N90C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2080pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 171W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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