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Microsemi Corporation - 1N5614US

KEY Part #: K6440376

1N5614US 価格設定（USD） [11145個在庫]

  • 1 pcs$3.78121
  • 10 pcs$3.40441
  • 25 pcs$3.10200
  • 100 pcs$2.79933
  • 250 pcs$2.57235
  • 500 pcs$2.34537
  • 1,000 pcs$2.04275
品番:
1N5614US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5614US electronic components. 1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5614US 製品の属性

品番 : 1N5614US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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