[1127個在庫]
- 品番:
- IXTH150N17T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 175V 150A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTH150N17T electronic components. IXTH150N17T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH150N17T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH150N17T 製品の属性
品番 :
IXTH150N17T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
シリーズ :
TrenchHV™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
175V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
150A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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