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- 品番:
- HGT1S3N60A4DS9A
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 17A 70W D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A electronic components. HGT1S3N60A4DS9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S3N60A4DS9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S3N60A4DS9A 製品の属性
品番 :
HGT1S3N60A4DS9A
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
17A
電流-パルスコレクター（Icm） :
40A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 3A
パワー-最大 :
70W
スイッチングエネルギー :
37µJ (on), 25µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
21nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
6ns/73ns
試験条件 :
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
29ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
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