Micro Commercial Co - GS1ME-TP

KEY Part #: K6450803

GS1ME-TP 価格設定(USD) [275個在庫]

  • 6,000 pcs$0.01582
  • 12,000 pcs$0.01345
  • 30,000 pcs$0.01266
  • 60,000 pcs$0.01186
  • 150,000 pcs$0.01028

品番:
GS1ME-TP
メーカー:
Micro Commercial Co
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1A SILICON RECTIFIER
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micro Commercial Co GS1ME-TP electronic components. GS1ME-TP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GS1ME-TP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GS1ME-TP 製品の属性

品番 : GS1ME-TP
メーカー : Micro Commercial Co
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MA3XD1500L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

  • MMBD914

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MA3X15800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 100MA MINI3.

  • MA3X78800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 60V 200MA MINI3.

  • MBR1645/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.

  • MBR10H100/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC.