STMicroelectronics - STL57N65M5

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STL57N65M5 価格設定(USD) [15304個在庫]

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品番:
STL57N65M5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL57N65M5 製品の属性

品番 : STL57N65M5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
シリーズ : MDmesh™ V
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 69 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4200pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 189W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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