TRS8E65C,S1Q 価格設定（USD） [12497個在庫]
- 1 pcs$4.22191
- 品番:
- TRS8E65C,S1Q
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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TRS8E65C,S1Q 製品の属性
品番 :
TRS8E65C,S1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
8A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 8A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
90µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
44pF @ 650V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-2L
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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