STB11N65M5 価格設定（USD） [65490個在庫]
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- 品番:
- STB11N65M5
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 650V 9A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB11N65M5 electronic components. STB11N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB11N65M5 製品の属性
品番 :
STB11N65M5
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
シリーズ :
MDmesh™ V
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
644pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
85W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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