Infineon Technologies - IPB50R199CPATMA1

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IPB50R199CPATMA1 価格設定(USD) [54961個在庫]

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品番:
IPB50R199CPATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB50R199CPATMA1 製品の属性

品番 : IPB50R199CPATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 550V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 660µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 139W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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