GeneSiC Semiconductor - MURTA300120

KEY Part #: K6468812

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 300A Si Super Fast Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA300120 electronic components. MURTA300120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA300120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MURTA300120

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 150A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 2.6V @ 150A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 600V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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