C3M0075120D 価格設定（USD） [3887個在庫]
- 1 pcs$11.14236
- 品番:
- C3M0075120D
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0075120D electronic components. C3M0075120D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0075120D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0075120D 製品の属性
品番 :
C3M0075120D
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC
シリーズ :
C3M™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
54nC @ 15V
Vgs（最大） :
+19V, -8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1350pF @ 1000V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
113.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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