IXTQ470P2 価格設定（USD） [17318個在庫]
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- 30 pcs$2.61776
- 品番:
- IXTQ470P2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 42A TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTQ470P2 electronic components. IXTQ470P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ470P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTQ470P2 製品の属性
品番 :
IXTQ470P2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
シリーズ :
PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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