Vishay Semiconductor Diodes Division - FEP16GT-5400HE3/45

KEY Part #: K6475429

[6104個在庫]


    品番:
    FEP16GT-5400HE3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE ARRAY GP TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FEP16GT-5400HE3/45 electronic components. FEP16GT-5400HE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FEP16GT-5400HE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FEP16GT-5400HE3/45 製品の属性

    品番 : FEP16GT-5400HE3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE ARRAY GP TO220AB
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 16A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 8A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB

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