EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

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品番 : EPC2012

メーカー : EPC

説明 : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Discontinued at Digi-Key

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -5V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 145pF @ 100V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

パッケージ/ケース : Die

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