EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

EPC2012 価格設定(USD) [1259個在庫]

  • 1,000 pcs$0.56684

品番:
EPC2012
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in EPC EPC2012 electronic components. EPC2012 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2012 製品の属性

品番 : EPC2012
メーカー : EPC
説明 : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.8nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 145pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
パッケージ/ケース : Die
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