Vishay Semiconductor Diodes Division - VSB2045-M3/54

KEY Part #: K6442800

VSB2045-M3/54 価格設定(USD) [7401個在庫]

  • 2,400 pcs$0.21843

品番:
VSB2045-M3/54
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSB2045-M3/54 electronic components. VSB2045-M3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSB2045-M3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSB2045-M3/54 製品の属性

品番 : VSB2045-M3/54
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600
シリーズ : TMBS®
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 45V
電流-平均整流(Io) : 6.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 580mV @ 20A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1.2mA @ 45V
静電容量@ Vr、F : 2050pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : P600, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : P600
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.