Vishay Semiconductor Diodes Division - VSB2045-M3/54

KEY Part #: K6442800

VSB2045-M3/54 価格設定(USD) [7401個在庫]

  • 2,400 pcs$0.21843

品番:
VSB2045-M3/54
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSB2045-M3/54 electronic components. VSB2045-M3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSB2045-M3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSB2045-M3/54 製品の属性

品番 : VSB2045-M3/54
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600
シリーズ : TMBS®
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 45V
電流-平均整流(Io) : 6.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 580mV @ 20A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1.2mA @ 45V
静電容量@ Vr、F : 2050pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : P600, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : P600
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.