GeneSiC Semiconductor - MSRTA20060(A)D

KEY Part #: K6468683

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRTA20060(A)D electronic components. MSRTA20060(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRTA20060(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MSRTA20060(A)D

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 200A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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