Vishay Semiconductor Diodes Division - BYT53F-TAP

KEY Part #: K6439093

BYT53F-TAP 価格設定(USD) [430974個在庫]

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品番:
BYT53F-TAP
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 300V 1.9A SOD57.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYT53F-TAP electronic components. BYT53F-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYT53F-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYT53F-TAP 製品の属性

品番 : BYT53F-TAP
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE AVALANCHE 300V 1.9A SOD57
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 300V
電流-平均整流(Io) : 1.9A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 300V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : SOD-57, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-57
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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