Infineon Technologies - F475R12KS4B11BOSA1

KEY Part #: K6534459

F475R12KS4B11BOSA1 価格設定(USD) [789個在庫]

  • 1 pcs$58.82174

品番:
F475R12KS4B11BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 600V 75A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies F475R12KS4B11BOSA1 electronic components. F475R12KS4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F475R12KS4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R12KS4B11BOSA1 製品の属性

品番 : F475R12KS4B11BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 600V 75A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 500W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.75V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 5.1nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.