FGB5N60UNDF 価格設定（USD） [83572個在庫]
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- 品番:
- FGB5N60UNDF
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGB5N60UNDF electronic components. FGB5N60UNDF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGB5N60UNDF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGB5N60UNDF 製品の属性
品番 :
FGB5N60UNDF
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電流-パルスコレクター（Icm） :
15A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
73.5W
スイッチングエネルギー :
80µJ (on), 70µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
12.1nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
5.4ns/25.4ns
試験条件 :
400V, 5A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
35ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB (D²PAK)
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