ON Semiconductor - FGB5N60UNDF

KEY Part #: K6424915

FGB5N60UNDF 価格設定(USD) [83572個在庫]

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品番:
FGB5N60UNDF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGB5N60UNDF 製品の属性

品番 : FGB5N60UNDF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 10A
電流-パルスコレクター(Icm) : 15A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 5A
パワー-最大 : 73.5W
スイッチングエネルギー : 80µJ (on), 70µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 12.1nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 5.4ns/25.4ns
試験条件 : 400V, 5A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 35ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)