BAS19-E3-18 価格設定（USD） [3438287個在庫]
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- 品番:
- BAS19-E3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA 50ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-E3-18 electronic components. BAS19-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19-E3-18 製品の属性
品番 :
BAS19-E3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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