Microsemi Corporation - APT80F60J

KEY Part #: K6393617

APT80F60J 価格設定（USD） [1803個在庫]

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10 pcs$26.41227

品番:: APT80F60J

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APT80F60J electronic components. APT80F60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT80F60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT80F60J 製品の属性

品番 : APT80F60J

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

シリーズ : POWER MOS 8™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 84A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 60A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 598nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 23994pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 961W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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