Infineon Technologies - FF200R06KE3HOSA1

KEY Part #: K6533306

FF200R06KE3HOSA1 価格設定(USD) [1012個在庫]

  • 1 pcs$45.88162

品番:
FF200R06KE3HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 600V 200A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FF200R06KE3HOSA1 electronic components. FF200R06KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R06KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R06KE3HOSA1 製品の属性

品番 : FF200R06KE3HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 600V 200A
シリーズ : C
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 260A
パワー-最大 : 680W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.

  • MG1275W-XBN2MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT MOD 1200V 75A PKG W CRCTXB.

  • MG06150S-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 225A 500W PKG S.