RGTVX6TS65GC11 価格設定（USD） [13190個在庫]
- 1 pcs$3.12456
- 品番:
- RGTVX6TS65GC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RGTVX6TS65GC11 electronic components. RGTVX6TS65GC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGTVX6TS65GC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGTVX6TS65GC11 製品の属性
品番 :
RGTVX6TS65GC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
144A
電流-パルスコレクター（Icm） :
320A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 80A
パワー-最大 :
404W
スイッチングエネルギー :
2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
171nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
45ns/201ns
試験条件 :
400V, 80A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247N
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